চীনে পলিসিলিকন শিল্পের বিপণনের চাহিদার বর্তমান পরিস্থিতির বিশ্লেষণ

1, ফটোভোলটাইক শেষ চাহিদা: ফটোভোলটাইক ইনস্টল করা ক্ষমতার চাহিদা শক্তিশালী, এবং পলিসিলিকনের চাহিদা ইনস্টল ক্ষমতা পূর্বাভাসের উপর ভিত্তি করে বিপরীত হয়

1.1.পলিসিলিকন ব্যবহার: বিশ্বব্যাপীখরচের পরিমাণ ক্রমাগত বৃদ্ধি পাচ্ছে, প্রধানত ফোটোভোলটাইক শক্তি উৎপাদনের জন্য

গত দশ বছরে বিশ্বব্যাপীপলিসিলিকনখরচ বাড়তে থাকে, এবং চীনের অনুপাত ফটোভোলটাইক শিল্পের নেতৃত্বে প্রসারিত হতে থাকে।2012 থেকে 2021 পর্যন্ত, বিশ্বব্যাপী পলিসিলিকন ব্যবহার সাধারণত ঊর্ধ্বমুখী প্রবণতা দেখায়, যা 237,000 টন থেকে প্রায় 653,000 টন বেড়েছে।2018 সালে, চীনের 531 ফটোভোলটাইক নতুন নীতি চালু করা হয়েছিল, যা স্পষ্টভাবে ফটোভোলটাইক বিদ্যুৎ উৎপাদনের জন্য ভর্তুকি হার হ্রাস করেছে।নতুন ইনস্টল করা ফটোভোলটাইক ক্ষমতা বছরে 18% কমেছে এবং পলিসিলিকনের চাহিদা প্রভাবিত হয়েছে।2019 সাল থেকে, রাজ্য ফটোভোলটাইকের গ্রিড সমতাকে উন্নীত করার জন্য বেশ কয়েকটি নীতি চালু করেছে।ফোটোভোলটাইক শিল্পের দ্রুত বিকাশের সাথে সাথে, পলিসিলিকনের চাহিদাও দ্রুত বৃদ্ধির একটি সময়ে প্রবেশ করেছে।এই সময়ের মধ্যে, চীনের পলিসিলিকন ব্যবহারের মোট বৈশ্বিক খরচের অনুপাত বাড়তে থাকে, যা 2012 সালে 61.5% থেকে 2021 সালে 93.9% এ পৌঁছেছে, প্রধানত চীনের দ্রুত বিকাশমান ফটোভোলটাইক শিল্পের কারণে।2021 সালে বিভিন্ন ধরণের পলিসিলিকনের বৈশ্বিক ব্যবহারের ধরণ থেকে, ফটোভোলটাইক কোষগুলির জন্য ব্যবহৃত সিলিকন উপকরণগুলি কমপক্ষে 94% হবে, যার মধ্যে সৌর-গ্রেডের পলিসিলিকন এবং দানাদার সিলিকন যথাক্রমে 91% এবং 3% হবে, যখন ইলেকট্রনিক-গ্রেড পলিসিলিকন যা চিপগুলির জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে 94% এর জন্য।অনুপাত 6%, যা দেখায় যে পলিসিলিকনের বর্তমান চাহিদা ফোটোভোলটাইক দ্বারা প্রভাবিত।এটি প্রত্যাশিত যে দ্বৈত-কার্বন নীতির উষ্ণায়নের সাথে, ফোটোভোলটাইক ইনস্টল ক্ষমতার চাহিদা আরও শক্তিশালী হবে এবং সৌর-গ্রেড পলিসিলিকনের ব্যবহার এবং অনুপাত বাড়তে থাকবে।

1.2সিলিকন ওয়েফার: মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফার মূলধারা দখল করে এবং ক্রমাগত Czochralski প্রযুক্তি দ্রুত বিকাশ করে

পলিসিলিকনের সরাসরি ডাউনস্ট্রিম লিঙ্ক হল সিলিকন ওয়েফার, এবং চীন বর্তমানে বিশ্বব্যাপী সিলিকন ওয়েফার বাজারে আধিপত্য বিস্তার করে।2012 থেকে 2021 সাল পর্যন্ত, বিশ্বব্যাপী এবং চীনা সিলিকন ওয়েফার উৎপাদন ক্ষমতা এবং আউটপুট বাড়তে থাকে এবং ফটোভোলটাইক শিল্প ক্রমাগত বৃদ্ধি পায়।সিলিকন ওয়েফারগুলি সিলিকন উপকরণ এবং ব্যাটারির সাথে সংযোগকারী সেতু হিসাবে কাজ করে এবং উৎপাদন ক্ষমতার উপর কোন বোঝা নেই, তাই এটি শিল্পে প্রবেশের জন্য বিপুল সংখ্যক কোম্পানিকে আকৃষ্ট করে চলেছে।2021 সালে, চীনা সিলিকন ওয়েফার নির্মাতারা উল্লেখযোগ্যভাবে প্রসারিত হয়েছিলউত্পাদনক্ষমতা 213.5GW আউটপুট, যা বিশ্বব্যাপী সিলিকন ওয়েফার উৎপাদনকে 215.4GW-তে উন্নীত করেছে।চীনে বিদ্যমান এবং সদ্য বর্ধিত উৎপাদন ক্ষমতা অনুসারে, আশা করা হচ্ছে যে বার্ষিক বৃদ্ধির হার আগামী কয়েক বছরে 15-25% বজায় রাখবে এবং চীনের ওয়েফার উৎপাদন এখনও বিশ্বে একটি নিরঙ্কুশ প্রভাবশালী অবস্থান বজায় রাখবে।

পলিক্রিস্টালাইন সিলিকনকে পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গট বা মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন রড তৈরি করা যেতে পারে।পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গটগুলির উত্পাদন প্রক্রিয়ার মধ্যে প্রধানত ঢালাই পদ্ধতি এবং সরাসরি গলানোর পদ্ধতি অন্তর্ভুক্ত থাকে।বর্তমানে, দ্বিতীয় প্রকার প্রধান পদ্ধতি, এবং ক্ষতির হার মূলত প্রায় 5% এ বজায় রাখা হয়।ঢালাই পদ্ধতিটি প্রধানত প্রথমে ক্রুসিবলের সিলিকন উপাদানগুলিকে গলিয়ে ফেলা হয় এবং তারপরে এটিকে শীতল করার জন্য অন্য প্রিহিটেড ক্রুসিবলে নিক্ষেপ করা হয়।শীতলকরণের হার নিয়ন্ত্রণ করে, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গটকে নির্দেশমূলক দৃঢ়ীকরণ প্রযুক্তি দ্বারা নিক্ষেপ করা হয়।সরাসরি-গলানোর পদ্ধতির গরম-গলানোর প্রক্রিয়াটি ঢালাই পদ্ধতির মতোই, যেখানে পলিসিলিকন প্রথমে ক্রুসিবলে সরাসরি গলিত হয়, তবে শীতল করার ধাপটি ঢালাই পদ্ধতি থেকে আলাদা।যদিও দুটি পদ্ধতি প্রকৃতিতে খুব একই রকম, প্রত্যক্ষ গলানোর পদ্ধতিতে শুধুমাত্র একটি ক্রুসিবলের প্রয়োজন হয় এবং উত্পাদিত পলিসিলিকন পণ্যটি ভাল মানের, যা পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইনগটগুলির বৃদ্ধির জন্য ভাল স্থিতিবিন্যাস সহ সহায়ক, এবং বৃদ্ধি প্রক্রিয়াটি সহজ। স্বয়ংক্রিয়, যা স্ফটিক ত্রুটি হ্রাসের অভ্যন্তরীণ অবস্থান তৈরি করতে পারে।বর্তমানে, সৌর শক্তি উপাদান শিল্পের নেতৃস্থানীয় উদ্যোগগুলি সাধারণত পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গট তৈরি করতে সরাসরি গলানোর পদ্ধতি ব্যবহার করে এবং কার্বন এবং অক্সিজেনের পরিমাণ তুলনামূলকভাবে কম, যা 10ppma এবং 16ppma-এর নিচে নিয়ন্ত্রিত হয়।ভবিষ্যতে, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গটগুলির উত্পাদন এখনও সরাসরি গলানোর পদ্ধতি দ্বারা প্রাধান্য পাবে এবং ক্ষতির হার পাঁচ বছরের মধ্যে প্রায় 5% থাকবে।

মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন রডগুলির উত্পাদন মূলত Czochralski পদ্ধতির উপর ভিত্তি করে, উল্লম্ব সাসপেনশন জোন গলানোর পদ্ধতি দ্বারা সম্পূরক, এবং দুটি দ্বারা উত্পাদিত পণ্যগুলির বিভিন্ন ব্যবহার রয়েছে।Czochralski পদ্ধতিতে গ্রাফাইট প্রতিরোধের ব্যবহার করে উচ্চ-বিশুদ্ধতার কোয়ার্টজ ক্রুসিবলে একটি উচ্চ-বিশুদ্ধতা কোয়ার্টজ ক্রুসিবলের মধ্যে তা গলিয়ে ফেলার জন্য, তারপরে বীজ স্ফটিকটিকে ফিউশনের জন্য গলিত পৃষ্ঠের মধ্যে ঢোকান, এবং বীজ ক্রিস্টালটিকে উল্টানোর সময় ঘোরান। ক্রুসিবল, বীজ স্ফটিক ধীরে ধীরে উপরের দিকে উত্থিত হয়, এবং একরঙা সিলিকন বীজ বপন, পরিবর্ধন, কাঁধ বাঁক, সমান ব্যাসের বৃদ্ধি এবং সমাপ্তি প্রক্রিয়ার মাধ্যমে প্রাপ্ত হয়।উল্লম্ব ভাসমান অঞ্চল গলানোর পদ্ধতি বলতে ফার্নেস চেম্বারে কলামার উচ্চ-বিশুদ্ধতা পলিক্রিস্টালাইন উপাদান ঠিক করা বোঝায়, ধাতব কুণ্ডলীকে ধীরে ধীরে পলিক্রিস্টালাইন দৈর্ঘ্যের দিক বরাবর সরানো এবং কলামার পলিক্রিস্টালাইনের মধ্য দিয়ে যাওয়া এবং ধাতুতে উচ্চ-শক্তির রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি কারেন্ট পাস করা। কয়েল তৈরি করতে পলিক্রিস্টালাইন পিলারের ভিতরের অংশটি গলে যায় এবং কয়েলটি সরানোর পরে, গলিত হয়ে একটি একক স্ফটিক তৈরি করে।বিভিন্ন উত্পাদন প্রক্রিয়ার কারণে, উত্পাদন সরঞ্জাম, উত্পাদন খরচ এবং পণ্যের গুণমানের মধ্যে পার্থক্য রয়েছে।বর্তমানে, জোন গলানোর পদ্ধতি দ্বারা প্রাপ্ত পণ্যগুলির উচ্চ বিশুদ্ধতা রয়েছে এবং সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে, যখন Czochralski পদ্ধতিটি ফটোভোলটাইক কোষগুলির জন্য একক ক্রিস্টাল সিলিকন তৈরির শর্ত পূরণ করতে পারে এবং এর দাম কম, তাই এটি মূলধারার পদ্ধতি।2021 সালে, স্ট্রেইট টান পদ্ধতির মার্কেট শেয়ার প্রায় 85%, এবং আগামী কয়েক বছরে এটি কিছুটা বাড়বে বলে আশা করা হচ্ছে।2025 এবং 2030 সালে বাজারের শেয়ার যথাক্রমে 87% এবং 90% হবে বলে পূর্বাভাস দেওয়া হয়েছে।জেলা গলিত একক স্ফটিক সিলিকনের পরিপ্রেক্ষিতে, জেলায় একক ক্রিস্টাল সিলিকন গলানোর শিল্পের ঘনত্ব বিশ্বের তুলনামূলকভাবে বেশি।অধিগ্রহণ), টপসিল (ডেনমার্ক)।ভবিষ্যতে, গলিত একক স্ফটিক সিলিকনের আউটপুট স্কেল উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পাবে না।কারণ হল যে চীনের সংশ্লিষ্ট প্রযুক্তিগুলি জাপান এবং জার্মানির তুলনায় তুলনামূলকভাবে পিছিয়ে রয়েছে, বিশেষ করে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি গরম করার সরঞ্জাম এবং স্ফটিক প্রক্রিয়ার অবস্থার ক্ষমতা।বৃহৎ ব্যাসের এলাকায় ফিউজড সিলিকন একক ক্রিস্টালের প্রযুক্তির জন্য চাইনিজ এন্টারপ্রাইজগুলিকে নিজেরাই অন্বেষণ চালিয়ে যেতে হবে।

Czochralski পদ্ধতিকে অবিচ্ছিন্ন ক্রিস্টাল পুলিং প্রযুক্তি (CCZ) এবং পুনরাবৃত্তি ক্রিস্টাল পুলিং প্রযুক্তি (RCZ) এ ভাগ করা যায়।বর্তমানে, শিল্পের মূলধারার পদ্ধতি হল RCZ, যা RCZ থেকে CCZ-এ রূপান্তর পর্যায়ে রয়েছে।RZC-এর একক স্ফটিক টানা এবং খাওয়ানোর ধাপগুলি একে অপরের থেকে স্বাধীন।প্রতিটি টানার আগে, একক ক্রিস্টাল ইংগটকে অবশ্যই ঠাণ্ডা করতে হবে এবং গেট চেম্বারে সরিয়ে ফেলতে হবে, যখন সিসিজেড টানার সময় খাওয়ানো এবং গলে যেতে পারে।RCZ তুলনামূলকভাবে পরিপক্ক, এবং ভবিষ্যতে প্রযুক্তিগত উন্নতির জন্য খুব কম জায়গা আছে;যদিও CCZ-এর খরচ হ্রাস এবং দক্ষতার উন্নতির সুবিধা রয়েছে এবং এটি দ্রুত বিকাশের পর্যায়ে রয়েছে।খরচের পরিপ্রেক্ষিতে, RCZ এর সাথে তুলনা করে, যা একটি একক রড আঁকার আগে প্রায় 8 ঘন্টা সময় নেয়, CCZ এই ধাপটি বাদ দিয়ে উত্পাদন দক্ষতার ব্যাপক উন্নতি করতে পারে, ক্রুসিবল খরচ এবং শক্তি খরচ কমাতে পারে।মোট একক চুল্লি আউটপুট RCZ এর চেয়ে 20% বেশি।উৎপাদন খরচ RCZ থেকে 10% কম।দক্ষতার পরিপ্রেক্ষিতে, CCZ ক্রুসিবলের জীবনচক্রের (250 ঘন্টা) মধ্যে 8-10টি একক ক্রিস্টাল সিলিকন রডের অঙ্কন সম্পূর্ণ করতে পারে, যখন RCZ প্রায় 4টি সম্পূর্ণ করতে পারে এবং উত্পাদন দক্ষতা 100-150% বৃদ্ধি করা যেতে পারে। .মানের দিক থেকে, CCZ-এর আরও অভিন্ন প্রতিরোধ ক্ষমতা, কম অক্সিজেন সামগ্রী এবং ধাতব অমেধ্য জমা হয়, তাই এটি এন-টাইপ একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফার তৈরির জন্য আরও উপযুক্ত, যেগুলি দ্রুত বিকাশের সময়কালেও রয়েছে।বর্তমানে, কিছু চীনা কোম্পানি ঘোষণা করেছে যে তাদের CCZ প্রযুক্তি রয়েছে, এবং দানাদার সিলিকন-CCZ-n-টাইপ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের রুটটি মূলত পরিষ্কার হয়েছে, এবং এমনকি 100% দানাদার সিলিকন উপকরণ ব্যবহার করা শুরু করেছে।.ভবিষ্যতে, CCZ মূলত RCZ প্রতিস্থাপন করবে, তবে এটি একটি নির্দিষ্ট প্রক্রিয়া গ্রহণ করবে।

মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির উত্পাদন প্রক্রিয়াটি চারটি ধাপে বিভক্ত: টানা, টুকরো করা, টুকরো করা, পরিষ্কার করা এবং বাছাই করা।হীরার তারের স্লাইসিং পদ্ধতির আবির্ভাব স্লাইসিং ক্ষতির হারকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করেছে।স্ফটিক টানার প্রক্রিয়া উপরে বর্ণিত হয়েছে।স্লাইসিং প্রক্রিয়ার মধ্যে রয়েছে ছেঁটে ফেলা, স্কোয়ারিং এবং চ্যামফারিং অপারেশন।স্লাইসিং হল কলামার সিলিকনকে সিলিকন ওয়েফারে কাটার জন্য একটি স্লাইসিং মেশিন ব্যবহার করা।সিলিকন ওয়েফার উত্পাদনের চূড়ান্ত পদক্ষেপগুলি পরিষ্কার করা এবং বাছাই করা।হীরার তারের স্লাইসিং পদ্ধতির প্রথাগত মর্টার তারের স্লাইসিং পদ্ধতির তুলনায় সুস্পষ্ট সুবিধা রয়েছে, যা প্রধানত স্বল্প সময়ের খরচ এবং কম ক্ষতিতে প্রতিফলিত হয়।হীরার তারের গতি ঐতিহ্যগত কাটার চেয়ে পাঁচগুণ বেশি।উদাহরণস্বরূপ, একক-ওয়েফার কাটিংয়ের জন্য, ঐতিহ্যগত মর্টার তার কাটতে প্রায় 10 ঘন্টা সময় লাগে এবং হীরার তার কাটতে প্রায় 2 ঘন্টা সময় লাগে।হীরার তারের কাটার ক্ষতিও তুলনামূলকভাবে কম, এবং হীরার তার কাটার কারণে ক্ষতির স্তরটি মর্টার তার কাটার চেয়ে ছোট, যা পাতলা সিলিকন ওয়েফার কাটার জন্য সহায়ক।সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, ক্ষতি এবং উৎপাদন খরচ কমানোর জন্য, কোম্পানিগুলি হীরার তারের স্লাইসিং পদ্ধতিতে পরিণত হয়েছে এবং হীরার তারের বাস বারের ব্যাস কম এবং কম হচ্ছে।2021 সালে, হীরার তারের বাসবারের ব্যাস 43-56 μm হবে এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের জন্য ব্যবহৃত হীরার তারের বাসবারের ব্যাস ব্যাপকভাবে হ্রাস পাবে এবং হ্রাস অব্যাহত থাকবে।এটি অনুমান করা হয় যে 2025 এবং 2030 সালে, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলি কাটাতে ব্যবহৃত হীরার তারের বাসবারগুলির ব্যাস যথাক্রমে 36 μm এবং 33 μm হবে এবং পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন কাটাতে ব্যবহৃত হীরার তারের বাসবারগুলির ব্যাস হবে 51 μm এবং যথাক্রমে 51 μm।এর কারণ হল পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলিতে অনেক ত্রুটি এবং অমেধ্য রয়েছে এবং পাতলা তারগুলি ভেঙে যাওয়ার প্রবণতা রয়েছে।অতএব, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফার কাটার জন্য ব্যবহৃত হীরার তারের বাসবারের ব্যাস মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের চেয়ে বড় এবং পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের বাজারের শেয়ার ধীরে ধীরে হ্রাস পেতে থাকায় এটি পলিক্রিস্টালাইন সিলিকনের ব্যাস হ্রাসের জন্য ব্যবহৃত হয়। স্লাইস দ্বারা কাটা তারের busbars মন্থর হয়েছে.

বর্তমানে, সিলিকন ওয়েফারগুলি প্রধানত দুটি প্রকারে বিভক্ত: পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফার এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফার।মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির দীর্ঘ পরিষেবা জীবন এবং উচ্চ ফটোইলেকট্রিক রূপান্তর দক্ষতার সুবিধা রয়েছে।পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলি বিভিন্ন স্ফটিক সমতল অভিযোজন সহ স্ফটিক দানা দিয়ে গঠিত, যখন একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফারগুলি কাঁচামাল হিসাবে পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন দিয়ে তৈরি এবং একই স্ফটিক সমতল অভিযোজন রয়েছে।চেহারায়, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফার এবং একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফারগুলি নীল-কালো এবং কালো-বাদামী।যেহেতু দুটি পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গট এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন রড থেকে কাটা হয়, তাই আকারগুলি বর্গাকার এবং আধা-বর্গাকার।পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফার এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের পরিষেবা জীবন প্রায় 20 বছর।প্যাকেজিং পদ্ধতি এবং ব্যবহারের পরিবেশ উপযুক্ত হলে, পরিষেবা জীবন 25 বছরেরও বেশি হতে পারে।সাধারণভাবে বলতে গেলে, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের আয়ুষ্কাল পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের চেয়ে সামান্য বেশি।এছাড়াও, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলি ফটোইলেকট্রিক রূপান্তর দক্ষতায় কিছুটা ভাল এবং তাদের স্থানচ্যুতি ঘনত্ব এবং ধাতব অমেধ্য পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির তুলনায় অনেক ছোট।বিভিন্ন কারণের সম্মিলিত প্রভাব পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের তুলনায় একক ক্রিস্টালের সংখ্যালঘু বাহকের জীবনকালকে কয়েক ডজন গুণ বেশি করে তোলে।যার ফলে রূপান্তর দক্ষতার সুবিধা দেখায়।2021 সালে, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের সর্বোচ্চ রূপান্তর দক্ষতা প্রায় 21% হবে এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির 24.2% পর্যন্ত পৌঁছাবে।

দীর্ঘ জীবন এবং উচ্চ রূপান্তর দক্ষতা ছাড়াও, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির পাতলা করার সুবিধাও রয়েছে, যা সিলিকন খরচ এবং সিলিকন ওয়েফারের খরচ কমাতে সহায়ক, তবে খণ্ডনের হার বৃদ্ধির দিকে মনোযোগ দিন।সিলিকন ওয়েফার পাতলা করা উৎপাদন খরচ কমাতে সাহায্য করে এবং বর্তমান স্লাইসিং প্রক্রিয়া সম্পূর্ণরূপে পাতলা করার চাহিদা মেটাতে পারে, তবে সিলিকন ওয়েফারের পুরুত্ব অবশ্যই ডাউনস্ট্রিম সেল এবং উপাদান উত্পাদনের চাহিদা মেটাতে হবে।সাধারণভাবে, সাম্প্রতিক বছরগুলিতে সিলিকন ওয়েফারের পুরুত্ব হ্রাস পাচ্ছে, এবং পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির বেধ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে বড়।মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলি আবার এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফার এবং পি-টাইপ সিলিকন ওয়েফারগুলিতে বিভক্ত, যখন এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফারগুলির মধ্যে প্রধানত টপকন ব্যাটারি ব্যবহার এবং এইচজেটি ব্যাটারি ব্যবহার অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।2021 সালে, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির গড় বেধ 178μm, এবং ভবিষ্যতে চাহিদার অভাব তাদের পাতলা হতে চালিত করবে।অতএব, এটি ভবিষ্যদ্বাণী করা হয় যে বেধ 2022 থেকে 2024 পর্যন্ত সামান্য হ্রাস পাবে এবং 2025 এর পরে বেধ প্রায় 170μm থাকবে;পি-টাইপ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের গড় বেধ প্রায় 170μm, এবং এটি 2025 এবং 2030 সালে 155μm এবং 140μm-এ নেমে আসবে বলে আশা করা হচ্ছে। n-টাইপ মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির মধ্যে, সিলিকন ওয়েফার কোষগুলির জন্য ব্যবহৃত সিলিকন ওয়েফারগুলির বেধ প্রায়। 150μm, এবং TOPCon কোষের জন্য ব্যবহৃত n-টাইপ সিলিকন ওয়েফারের গড় বেধ হল 165μm।135μm।

এছাড়াও, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের উত্পাদন একরঙা সিলিকন ওয়েফারের তুলনায় বেশি সিলিকন গ্রহণ করে, তবে উত্পাদন পদক্ষেপগুলি তুলনামূলকভাবে সহজ, যা পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলিতে ব্যয়ের সুবিধা নিয়ে আসে।পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফার এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারগুলির জন্য একটি সাধারণ কাঁচামাল হিসাবে, দুটির উত্পাদনে আলাদা খরচ রয়েছে, যা দুটির বিশুদ্ধতা এবং উত্পাদন পদক্ষেপের পার্থক্যের কারণে।2021 সালে, পলিক্রিস্টালাইন ইনগটের সিলিকন ব্যবহার 1.10 কেজি/কেজি।এটা আশা করা হচ্ছে যে গবেষণা ও উন্নয়নে সীমিত বিনিয়োগ ভবিষ্যতে ছোট পরিবর্তনের দিকে নিয়ে যাবে।পুল রডের সিলিকন খরচ হল 1.066 কেজি/কেজি, এবং অপ্টিমাইজেশনের জন্য একটি নির্দিষ্ট জায়গা রয়েছে।এটি 2025 এবং 2030 সালে যথাক্রমে 1.05 কেজি/কেজি এবং 1.043 কেজি/কেজি হবে বলে আশা করা হচ্ছে।একক স্ফটিক টানানোর প্রক্রিয়াতে, পুলিং রডের সিলিকন খরচ হ্রাস পরিষ্কার এবং নিষ্পেষণের ক্ষতি হ্রাস করে, উত্পাদন পরিবেশকে কঠোরভাবে নিয়ন্ত্রণ করে, প্রাইমারগুলির অনুপাত হ্রাস করে, নির্ভুলতা নিয়ন্ত্রণের উন্নতি করে এবং শ্রেণিবিন্যাস অপ্টিমাইজ করে অর্জন করা যেতে পারে। এবং অবনমিত সিলিকন উপকরণ প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি।যদিও পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের সিলিকন ব্যবহার বেশি, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের উৎপাদন খরচ তুলনামূলকভাবে বেশি কারণ পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গটগুলি গরম-গলে যাওয়া ইংগট ঢালাই দ্বারা উত্পাদিত হয়, যখন একরঙা সিলিকন ইঙ্গটগুলি সাধারণত ধীরগতির একক বৃদ্ধির দ্বারা উত্পাদিত হয়। যা তুলনামূলকভাবে উচ্চ শক্তি খরচ করে।কম2021 সালে, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের গড় উৎপাদন খরচ হবে প্রায় 0.673 ইউয়ান/W, এবং পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের দাম হবে 0.66 ইউয়ান/W।

সিলিকন ওয়েফারের পুরুত্ব কমে যাওয়ার সাথে সাথে হীরার তারের বাসবারের ব্যাস হ্রাস পাবে, প্রতি কিলোগ্রামে সমান ব্যাসের সিলিকন রড/ইনগটের আউটপুট বৃদ্ধি পাবে এবং একই ওজনের একক ক্রিস্টাল সিলিকন রডের সংখ্যা তার চেয়ে বেশি হবে। পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ingots.শক্তির পরিপ্রেক্ষিতে, প্রতিটি সিলিকন ওয়েফার দ্বারা ব্যবহৃত শক্তি প্রকার এবং আকার অনুসারে পরিবর্তিত হয়।2021 সালে, p-টাইপ 166 মিমি সাইজের মনোক্রিস্টালাইন বর্গাকার বারগুলির আউটপুট প্রতি কিলোগ্রামে প্রায় 64 টুকরা, এবং পলিক্রিস্টালাইন বর্গাকার ইঙ্গটগুলির আউটপুট প্রায় 59 টুকরা।পি-টাইপ সিঙ্গেল ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফারের মধ্যে, 158.75 মিমি সাইজের মনোক্রিস্টালাইন স্কয়ার রডের আউটপুট প্রতি কিলোগ্রামে প্রায় 70 পিস, পি-টাইপ 182 মিমি সাইজের সিঙ্গেল ক্রিস্টাল স্কয়ার রডের আউটপুট প্রতি কিলোগ্রামে প্রায় 53 পিস, এবং পি-এর আউটপুট -টাইপ 210 মিমি সাইজের একক ক্রিস্টাল রড প্রতি কিলোগ্রাম প্রায় 53 টুকরা।বর্গাকার বারের আউটপুট প্রায় 40 টুকরা।2022 থেকে 2030 সাল পর্যন্ত, সিলিকন ওয়েফারের ক্রমাগত পাতলা হওয়া নিঃসন্দেহে একই আয়তনের সিলিকন রড/ইনগটের সংখ্যা বৃদ্ধির দিকে পরিচালিত করবে।হীরার তারের বাসবারের ছোট ব্যাস এবং মাঝারি কণার আকার কাটার ক্ষতি কমাতেও সাহায্য করবে, যার ফলে উত্পাদিত ওয়েফারের সংখ্যা বৃদ্ধি পাবে।পরিমাণঅনুমান করা হয় যে 2025 এবং 2030 সালে, p-টাইপ 166 মিমি আকারের একরঙা বর্গাকার রডের আউটপুট প্রতি কিলোগ্রামে প্রায় 71 এবং 78 টুকরা, এবং পলিক্রিস্টালাইন বর্গাকার ইঙ্গটগুলির আউটপুট প্রায় 62 এবং 62 টুকরা, যা নিম্ন বাজারের কারণে। পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের শেয়ার উল্লেখযোগ্য প্রযুক্তিগত অগ্রগতি ঘটানো কঠিন।সিলিকন ওয়েফারের বিভিন্ন প্রকার এবং আকারের শক্তিতে পার্থক্য রয়েছে।ঘোষণার তথ্য অনুযায়ী 158.75 মিমি সিলিকন ওয়েফারের গড় শক্তি প্রায় 5.8W/পিস, 166mm সাইজের সিলিকন ওয়েফারের গড় শক্তি প্রায় 6.25W/piece, এবং 182mm সিলিকন ওয়েফারের গড় শক্তি প্রায় 6.25W/piece .সাইজ সিলিকন ওয়েফারের গড় শক্তি প্রায় 7.49W/piece, এবং 210mm সাইজের সিলিকন ওয়েফারের গড় শক্তি প্রায় 10W/piece।

সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, সিলিকন ওয়েফারগুলি ধীরে ধীরে বড় আকারের দিকে বিকশিত হয়েছে, এবং বড় আকার একটি একক চিপের শক্তি বাড়ানোর জন্য সহায়ক, যার ফলে কোষগুলির অ-সিলিকন খরচ হ্রাস পায়।যাইহোক, সিলিকন ওয়েফারের আকার সামঞ্জস্যের জন্য আপস্ট্রিম এবং ডাউনস্ট্রিম ম্যাচিং এবং স্ট্যান্ডার্ডাইজেশন সমস্যাগুলি, বিশেষ করে লোড এবং উচ্চ বর্তমান সমস্যাগুলি বিবেচনা করতে হবে।বর্তমানে, সিলিকন ওয়েফার আকারের ভবিষ্যত বিকাশের দিকনির্দেশনা নিয়ে বাজারে দুটি ক্যাম্প রয়েছে, যথা 182 মিমি আকার এবং 210 মিমি আকার।182 মিমি প্রস্তাবটি মূলত উল্লম্ব শিল্প একীকরণের দৃষ্টিকোণ থেকে, ফটোভোলটাইক কোষগুলির ইনস্টলেশন এবং পরিবহন, মডিউলগুলির শক্তি এবং দক্ষতা এবং আপস্ট্রিম এবং ডাউনস্ট্রিমের মধ্যে সমন্বয় বিবেচনার ভিত্তিতে;যখন 210 মিমি প্রধানত উৎপাদন খরচ এবং সিস্টেম খরচের দৃষ্টিকোণ থেকে।সিঙ্গেল-ফার্নেস রড অঙ্কন প্রক্রিয়ায় 210 মিমি সিলিকন ওয়েফারের আউটপুট 15% এর বেশি বৃদ্ধি পেয়েছে, ডাউনস্ট্রিম ব্যাটারি উৎপাদন খরচ প্রায় 0.02 ইউয়ান/ওয়াট দ্বারা হ্রাস পেয়েছে এবং পাওয়ার স্টেশন নির্মাণের মোট খরচ প্রায় 0.1 ইউয়ান/ দ্বারা হ্রাস পেয়েছে ডব্লিউ.আগামী কয়েক বছরের মধ্যে, এটি আশা করা হচ্ছে যে 166 মিমি এর নিচের সাইজ সহ সিলিকন ওয়েফারগুলি ধীরে ধীরে নির্মূল করা হবে;210 মিমি সিলিকন ওয়েফারগুলির আপস্ট্রিম এবং ডাউনস্ট্রিম মিলের সমস্যাগুলি ধীরে ধীরে কার্যকরভাবে সমাধান করা হবে এবং খরচ একটি আরও গুরুত্বপূর্ণ ফ্যাক্টর হয়ে উঠবে যা এন্টারপ্রাইজগুলির বিনিয়োগ এবং উত্পাদনকে প্রভাবিত করবে৷অতএব, 210 মিমি সিলিকন ওয়েফারের বাজারের শেয়ার বৃদ্ধি পাবে।অবিচলিত বৃদ্ধি;182 মিমি সিলিকন ওয়েফার উল্লম্বভাবে সমন্বিত উত্পাদনে এর সুবিধার কারণে বাজারে মূলধারার আকারে পরিণত হবে, তবে 210 মিমি সিলিকন ওয়েফার অ্যাপ্লিকেশন প্রযুক্তির যুগান্তকারী বিকাশের সাথে, 182 মিমি এটিকে পথ দেবে।উপরন্তু, বড় আকারের সিলিকন ওয়েফারগুলির জন্য আগামী কয়েক বছরে বাজারে ব্যাপকভাবে ব্যবহার করা কঠিন, কারণ বড় আকারের সিলিকন ওয়েফারগুলির শ্রম খরচ এবং ইনস্টলেশনের ঝুঁকি ব্যাপকভাবে বৃদ্ধি পাবে, যা দ্বারা অফসেট করা কঠিন। উৎপাদন খরচ এবং সিস্টেম খরচ সঞ্চয়..2021 সালে, বাজারে থাকা সিলিকন ওয়েফারের আকারের মধ্যে রয়েছে 156.75mm, 157mm, 158.75mm, 166mm, 182mm, 210mm, ইত্যাদি। তাদের মধ্যে, 158.75mm এবং 166mm এর আকার মোট 50% এবং 157mm এর 50%। 5% এ হ্রাস পেয়েছে, যা ধীরে ধীরে ভবিষ্যতে প্রতিস্থাপিত হবে;166mm হল সবচেয়ে বড় আকারের সমাধান যা বিদ্যমান ব্যাটারি উৎপাদন লাইনের জন্য আপগ্রেড করা যেতে পারে, যা গত দুই বছরে সবচেয়ে বড় আকার হবে।রূপান্তর আকারের পরিপ্রেক্ষিতে, আশা করা হচ্ছে যে 2030 সালে বাজারের শেয়ার 2% এর কম হবে;182mm এবং 210mm এর সম্মিলিত আকার 2021 সালে 45% হবে এবং ভবিষ্যতে বাজারের শেয়ার দ্রুত বৃদ্ধি পাবে।আশা করা হচ্ছে যে 2030 সালে মোট বাজারের শেয়ার 98% ছাড়িয়ে যাবে।

সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকনের বাজারের শেয়ার বৃদ্ধি অব্যাহত রয়েছে এবং এটি বাজারে মূলধারার অবস্থান দখল করেছে।2012 থেকে 2021 পর্যন্ত, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকনের অনুপাত 20% থেকে 93.3%-এর কম, একটি উল্লেখযোগ্য বৃদ্ধি।2018 সালে, বাজারে সিলিকন ওয়েফারগুলি প্রধানত পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফার, যা 50% এর বেশি।প্রধান কারণ হল একরঙা সিলিকন ওয়েফারগুলির প্রযুক্তিগত সুবিধাগুলি খরচের অসুবিধাগুলিকে কভার করতে পারে না।2019 সাল থেকে, যেহেতু মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের ফটোইলেক্ট্রিক রূপান্তর দক্ষতা উল্লেখযোগ্যভাবে পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের তুলনায় অতিক্রম করেছে, এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের উত্পাদন খরচ প্রযুক্তিগত অগ্রগতির সাথে ক্রমাগত হ্রাস পেতে থাকে, সিলক্রিস্টালাইন ওয়েফারের বাজারের শেয়ার ক্রমাগত বৃদ্ধি পায়। বাজারে মূলধারা।পণ্যআশা করা হচ্ছে যে 2025 সালে মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারের অনুপাত প্রায় 96% এ পৌঁছাবে এবং 2030 সালে একরঙা সিলিকন ওয়েফারের বাজার শেয়ার 97.7% এ পৌঁছাবে। (রিপোর্টের উত্স: ফিউচার থিঙ্ক ট্যাঙ্ক)

1.3.ব্যাটারি: PERC ব্যাটারি বাজারে আধিপত্য বিস্তার করে এবং এন-টাইপ ব্যাটারির বিকাশ পণ্যের গুণমানকে বাড়িয়ে তোলে

ফোটোভোলটাইক শিল্প শৃঙ্খলের মধ্যপ্রবাহের লিঙ্কটিতে রয়েছে ফটোভোলটাইক কোষ এবং ফটোভোলটাইক সেল মডিউল।কোষে সিলিকন ওয়েফারের প্রক্রিয়াকরণ ফটোইলেকট্রিক রূপান্তর উপলব্ধি করার সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ।একটি সিলিকন ওয়েফার থেকে একটি প্রচলিত কোষ প্রক্রিয়া করতে প্রায় সাতটি ধাপ লাগে।প্রথমে, সিলিকন ওয়েফারকে হাইড্রোফ্লোরিক অ্যাসিডে রাখুন যাতে এর পৃষ্ঠে পিরামিডের মতো সোয়েড গঠন তৈরি হয়, যার ফলে সূর্যালোকের প্রতিফলন হ্রাস পায় এবং আলো শোষণ বৃদ্ধি পায়;দ্বিতীয়টি হ'ল ফসফরাস সিলিকন ওয়েফারের এক পাশের পৃষ্ঠে ছড়িয়ে পড়ে একটি পিএন জংশন তৈরি করে এবং এর গুণমান সরাসরি কোষের দক্ষতাকে প্রভাবিত করে;তৃতীয়টি হল কোষের শর্ট সার্কিট প্রতিরোধ করার জন্য ডিফিউশন পর্যায়ে সিলিকন ওয়েফারের পাশে গঠিত পিএন জংশনটি অপসারণ করা;সিলিকন নাইট্রাইড ফিল্মের একটি স্তর যেখানে আলোর প্রতিফলন কমাতে এবং একই সময়ে দক্ষতা বাড়াতে PN জংশন গঠিত হয় তার পাশে প্রলেপ দেওয়া হয়;পঞ্চমটি হল ফটোভোলটাইক দ্বারা উত্পন্ন সংখ্যালঘু বাহক সংগ্রহ করতে সিলিকন ওয়েফারের সামনে এবং পিছনে ধাতব ইলেক্ট্রোড মুদ্রণ করা;প্রিন্টিং পর্যায়ে মুদ্রিত সার্কিটটি sintered এবং গঠিত হয় এবং এটি সিলিকন ওয়েফারের সাথে একত্রিত হয়, অর্থাৎ সেল;অবশেষে, বিভিন্ন দক্ষতার কোষগুলিকে শ্রেণীবদ্ধ করা হয়।

স্ফটিক সিলিকন কোষগুলি সাধারণত সিলিকন ওয়েফার দিয়ে সাবস্ট্রেট হিসাবে তৈরি করা হয় এবং সিলিকন ওয়েফারের ধরন অনুসারে পি-টাইপ সেল এবং এন-টাইপ সেলগুলিতে বিভক্ত করা যেতে পারে।তাদের মধ্যে, এন-টাইপ সেলগুলির উচ্চতর রূপান্তর দক্ষতা রয়েছে এবং সাম্প্রতিক বছরগুলিতে ধীরে ধীরে পি-টাইপ কোষগুলি প্রতিস্থাপন করছে।পি-টাইপ সিলিকন ওয়েফারগুলি বোরনের সাথে সিলিকন ডোপ করে তৈরি করা হয় এবং এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফারগুলি ফসফরাস দিয়ে তৈরি।অতএব, এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফারে বোরন উপাদানের ঘনত্ব কম, যার ফলে বোরন-অক্সিজেন কমপ্লেক্সের বন্ধন বাধাগ্রস্ত হয়, সিলিকন উপাদানের সংখ্যালঘু বাহক জীবনকালের উন্নতি হয় এবং একই সময়ে, কোনও ফটো-প্ররোচিত ক্ষয় নেই। ব্যাটারিতেউপরন্তু, এন-টাইপ সংখ্যালঘু বাহক হল হোল, পি-টাইপ সংখ্যালঘু বাহক হল ইলেকট্রন, এবং ছিদ্রের জন্য বেশিরভাগ অপরিষ্কার পরমাণুর ট্র্যাপিং ক্রস-সেকশন ইলেকট্রনের চেয়ে ছোট।অতএব, এন-টাইপ সেলের সংখ্যালঘু বাহকের জীবনকাল বেশি এবং আলোক বৈদ্যুতিক রূপান্তর হার বেশি।পরীক্ষাগারের তথ্য অনুসারে, পি-টাইপ কোষগুলির রূপান্তর দক্ষতার উপরের সীমা হল 24.5%, এবং এন-টাইপ কোষগুলির রূপান্তর দক্ষতা 28.7% পর্যন্ত, তাই এন-টাইপ কোষগুলি ভবিষ্যতের প্রযুক্তির বিকাশের দিক নির্দেশ করে।2021 সালে, এন-টাইপ কোষগুলির (প্রধানত হেটেরোজাংশন সেল এবং টপকন কোষ সহ) তুলনামূলকভাবে উচ্চ খরচ রয়েছে এবং ব্যাপক উত্পাদনের স্কেল এখনও ছোট।বর্তমান বাজারের শেয়ার প্রায় 3%, যা মূলত 2020 সালের মতোই।

2021 সালে, এন-টাইপ সেলগুলির রূপান্তর দক্ষতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত হবে এবং এটি আশা করা হচ্ছে যে আগামী পাঁচ বছরে প্রযুক্তিগত অগ্রগতির জন্য আরও জায়গা থাকবে।2021 সালে, পি-টাইপ মনোক্রিস্টালাইন কোষগুলির বড় আকারের উত্পাদন PERC প্রযুক্তি ব্যবহার করবে এবং গড় রূপান্তর দক্ষতা 23.1% এ পৌঁছাবে, 2020 এর তুলনায় 0.3 শতাংশ পয়েন্ট বৃদ্ধি;PERC প্রযুক্তি ব্যবহার করে পলিক্রিস্টালাইন কালো সিলিকন কোষের রূপান্তর দক্ষতা 2020 এর তুলনায় 21.0% এ পৌঁছাবে। 0.2 শতাংশ পয়েন্টের বার্ষিক বৃদ্ধি;প্রচলিত পলিক্রিস্টালাইন কালো সিলিকন কোষের দক্ষতার উন্নতি শক্তিশালী নয়, 2021 সালে রূপান্তর দক্ষতা প্রায় 19.5% হবে, শুধুমাত্র 0.1 শতাংশ পয়েন্ট বেশি, এবং ভবিষ্যতের দক্ষতা উন্নতির স্থান সীমিত;ইনগট মনোক্রিস্টালাইন PERC কোষের গড় রূপান্তর দক্ষতা 22.4%, যা মনোক্রিস্টালাইন PERC কোষের তুলনায় 0.7 শতাংশ পয়েন্ট কম;n-টাইপ TOPCon কোষের গড় রূপান্তর দক্ষতা 24% এ পৌঁছেছে, এবং heterojunction কোষগুলির গড় রূপান্তর দক্ষতা 24.2% এ পৌঁছেছে, উভয়ই 2020 এর তুলনায় অনেক উন্নত হয়েছে, এবং IBC কোষের গড় রূপান্তর দক্ষতা 24.2% এ পৌঁছেছে।ভবিষ্যতে প্রযুক্তির বিকাশের সাথে সাথে, ব্যাটারি প্রযুক্তি যেমন টিবিসি এবং এইচবিসিও অগ্রগতি চালিয়ে যেতে পারে।ভবিষ্যতে, উত্পাদন খরচ হ্রাস এবং ফলনের উন্নতির সাথে, এন-টাইপ ব্যাটারিগুলি ব্যাটারি প্রযুক্তির বিকাশের অন্যতম প্রধান দিক হবে।

ব্যাটারি প্রযুক্তির রুটের দৃষ্টিকোণ থেকে, ব্যাটারি প্রযুক্তির পুনরাবৃত্তিমূলক আপডেট মূলত BSF, PERC, TOPCon PERC উন্নতির উপর ভিত্তি করে এবং HJT, একটি নতুন প্রযুক্তি যা PERC-কে বিপর্যস্ত করে;TOPCon টিবিসি গঠনের জন্য IBC এর সাথে আরও একত্রিত হতে পারে, এবং HJT-কে IBC-এর সাথে HBC-তে পরিণত করা যেতে পারে।পি-টাইপ মনোক্রিস্টালাইন কোষগুলি প্রধানত PERC প্রযুক্তি ব্যবহার করে, পি-টাইপ পলিক্রিস্টালাইন কোষগুলির মধ্যে রয়েছে পলিক্রিস্টালাইন কালো সিলিকন কোষ এবং ইংগট মনোক্রিস্টালাইন কোষ, পরেরটি প্রচলিত পলিক্রিস্টালাইন ইনগট প্রক্রিয়ার ভিত্তিতে মনোক্রিস্টালাইন বীজ স্ফটিক যোগকে বোঝায়, দিকনির্দেশনামূলক দৃঢ়ীকরণের পরে। বর্গাকার সিলিকন ইঙ্গট গঠিত হয়, এবং একক ক্রিস্টাল এবং পলিক্রিস্টালাইনের সাথে মিশ্রিত একটি সিলিকন ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ প্রক্রিয়াগুলির একটি সিরিজের মাধ্যমে তৈরি করা হয়।যেহেতু এটি মূলত একটি পলিক্রিস্টালাইন প্রস্তুতির রুট ব্যবহার করে, এটি পি-টাইপ পলিক্রিস্টালাইন কোষের বিভাগে অন্তর্ভুক্ত।এন-টাইপ কোষগুলির মধ্যে প্রধানত টপকন মনোক্রিস্টালাইন কোষ, এইচজেটি মনোক্রিস্টালাইন কোষ এবং আইবিসি মনোক্রিস্টালাইন কোষ অন্তর্ভুক্ত থাকে।2021 সালে, নতুন ব্যাপক উত্পাদন লাইনগুলি এখনও PERC সেল উত্পাদন লাইনগুলির দ্বারা প্রাধান্য পাবে এবং PERC সেলগুলির বাজারের শেয়ার আরও 91.2% এ বৃদ্ধি পাবে৷যেহেতু বহিরঙ্গন এবং গৃহস্থালী প্রকল্পগুলির জন্য পণ্যের চাহিদা উচ্চ-দক্ষ পণ্যগুলিতে কেন্দ্রীভূত হয়েছে, তাই 2021 সালে BSF ব্যাটারির বাজার শেয়ার 8.8% থেকে 5% এ নেমে আসবে।

1.4মডিউল: কোষগুলির খরচ প্রধান অংশের জন্য দায়ী, এবং মডিউলগুলির শক্তি কোষগুলির উপর নির্ভর করে

ফটোভোলটাইক মডিউলের উৎপাদন ধাপে প্রধানত কোষের আন্তঃসংযোগ এবং ল্যামিনেশন অন্তর্ভুক্ত থাকে এবং কোষগুলি মডিউলের মোট খরচের একটি বড় অংশের জন্য দায়ী।যেহেতু একটি একক কক্ষের কারেন্ট এবং ভোল্টেজ খুবই ছোট, সেহেতু ঘরগুলোকে বাস বারের মাধ্যমে পরস্পর সংযুক্ত করতে হবে।এখানে, তারা ভোল্টেজ বাড়ানোর জন্য সিরিজে সংযুক্ত থাকে এবং তারপর উচ্চ কারেন্ট পাওয়ার জন্য সমান্তরালভাবে সংযুক্ত থাকে এবং তারপরে ফটোভোলটাইক গ্লাস, ইভা বা POE, ব্যাটারি শীট, ইভা বা POE, ব্যাক শীট সিল করা হয় এবং একটি নির্দিষ্ট ক্রমে তাপ চাপানো হয়। , এবং অবশেষে অ্যালুমিনিয়াম ফ্রেম এবং সিলিকন সিলিং প্রান্ত দ্বারা সুরক্ষিত।উপাদান উৎপাদন খরচ রচনার দৃষ্টিকোণ থেকে, উপাদান খরচ 75% জন্য অ্যাকাউন্ট, প্রধান অবস্থান দখল করে, উত্পাদন খরচ, কর্মক্ষমতা খরচ এবং শ্রম খরচ দ্বারা অনুসরণ করা হয়.উপকরণের খরচ কোষের খরচ দ্বারা পরিচালিত হয়।অনেক কোম্পানির ঘোষণা অনুযায়ী, সেলগুলি ফটোভোলটাইক মডিউলের মোট খরচের প্রায় 2/3 অংশ।

ফটোভোলটাইক মডিউলগুলি সাধারণত কোষের ধরন, আকার এবং পরিমাণ অনুসারে ভাগ করা হয়।বিভিন্ন মডিউলের শক্তির মধ্যে পার্থক্য রয়েছে, তবে তারা সবই ক্রমবর্ধমান পর্যায়ে রয়েছে।পাওয়ার হল ফটোভোলটাইক মডিউলগুলির একটি মূল সূচক, যা সৌর শক্তিকে বিদ্যুতে রূপান্তর করার মডিউলের ক্ষমতাকে প্রতিনিধিত্ব করে।বিভিন্ন ধরনের ফটোভোলটাইক মডিউলের পাওয়ার পরিসংখ্যান থেকে দেখা যায় যে যখন মডিউলের আকার এবং কোষের সংখ্যা একই থাকে, তখন মডিউলের শক্তি n-টাইপ একক ক্রিস্টাল > p-টাইপ একক ক্রিস্টাল > পলিক্রিস্টালাইন;আকার এবং পরিমাণ যত বড়, মডিউলের শক্তি তত বেশি;TOPCon একক স্ফটিক মডিউল এবং একই স্পেসিফিকেশনের heterojunction মডিউলের জন্য, পরবর্তীটির শক্তি আগেরটির চেয়ে বেশি।CPIA পূর্বাভাস অনুসারে, আগামী কয়েক বছরে মডিউল শক্তি প্রতি বছর 5-10W বৃদ্ধি পাবে।উপরন্তু, মডিউল প্যাকেজিং একটি নির্দিষ্ট শক্তি ক্ষতি আনবে, প্রধানত অপটিক্যাল ক্ষতি এবং বৈদ্যুতিক ক্ষতি সহ।প্রথমটি ফটোভোলটাইক গ্লাস এবং ইভা-এর মতো প্যাকেজিং উপকরণগুলির ট্রান্সমিট্যান্স এবং অপটিক্যাল অমিলের কারণে ঘটে এবং পরবর্তীটি মূলত সিরিজে সৌর কোষের ব্যবহারকে বোঝায়।ঢালাই ফিতা এবং বাস বার নিজেই প্রতিরোধের দ্বারা সৃষ্ট সার্কিট ক্ষতি, এবং কোষের সমান্তরাল সংযোগ দ্বারা সৃষ্ট বর্তমান অসামঞ্জস্য ক্ষতি, দুটি অ্যাকাউন্টের মোট বিদ্যুতের ক্ষতি প্রায় 8%।

1.5।ফটোভোলটাইক ইনস্টল করা ক্ষমতা: বিভিন্ন দেশের নীতিগুলি স্পষ্টতই চালিত হয় এবং ভবিষ্যতে নতুন ইনস্টল করার ক্ষমতার জন্য বিশাল স্থান রয়েছে

বিশ্ব মূলত পরিবেশগত সুরক্ষা লক্ষ্যের অধীনে নেট শূন্য নির্গমনের বিষয়ে ঐকমত্যে পৌঁছেছে এবং সুপারইম্পোজড ফটোভোলটাইক প্রকল্পগুলির অর্থনীতি ধীরে ধীরে আবির্ভূত হয়েছে।দেশগুলি সক্রিয়ভাবে পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি বিদ্যুৎ উৎপাদনের উন্নয়নের অন্বেষণ করছে।সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, বিশ্বের দেশগুলি কার্বন নির্গমন কমানোর প্রতিশ্রুতি দিয়েছে।বেশিরভাগ প্রধান গ্রিনহাউস গ্যাস নির্গমনকারীরা সংশ্লিষ্ট পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি লক্ষ্যমাত্রা তৈরি করেছে এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তির ইনস্টল করা ক্ষমতা বিশাল।1.5℃ তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ লক্ষ্যের উপর ভিত্তি করে, IRENA ভবিষ্যদ্বাণী করেছে যে বিশ্বব্যাপী ইনস্টল করা পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তির ক্ষমতা 2030 সালে 10.8TW এ পৌঁছাবে। উপরন্তু, WOODMac তথ্য অনুসারে, চীন, ভারতে সৌর বিদ্যুৎ উৎপাদনের বিদ্যুতের স্তরের খরচ (LCOE)। মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র এবং অন্যান্য দেশগুলি ইতিমধ্যেই সস্তার জীবাশ্ম শক্তির চেয়ে কম, এবং ভবিষ্যতে আরও হ্রাস পাবে।বিভিন্ন দেশে নীতির সক্রিয় প্রচার এবং ফটোভোলটাইক বিদ্যুৎ উৎপাদনের অর্থনীতি সাম্প্রতিক বছরগুলিতে বিশ্বে এবং চীনে ফটোভোলটাইকগুলির ক্রমবর্ধমান ইনস্টলেশন ক্ষমতার ক্রমবর্ধমান বৃদ্ধির দিকে পরিচালিত করেছে।2012 থেকে 2021 সাল পর্যন্ত, বিশ্বে ফটোভোলটাইক্সের ক্রমবর্ধমান ইনস্টলেশন ক্ষমতা 104.3GW থেকে 849.5GW-তে বৃদ্ধি পাবে এবং চীনে ফটোভোলটাইক্সের ক্রমবর্ধমান ইনস্টল করা ক্ষমতা 6.7GW থেকে 307GW-তে বৃদ্ধি পাবে, যা 44 গুণের বেশি বৃদ্ধি পেয়েছে।উপরন্তু, চীনের নতুন ইনস্টল করা ফটোভোলটাইক ক্ষমতা বিশ্বের মোট ইনস্টল ক্ষমতার 20% এর বেশি।2021 সালে, চীনের নতুন ইনস্টল করা ফটোভোলটাইক ক্ষমতা হল 53GW, যা বিশ্বের নতুন ইনস্টল করা ক্ষমতার প্রায় 40%।এটি প্রধানত চীনে আলোক শক্তির সম্পদের প্রচুর এবং অভিন্ন বন্টন, উজানে ও নিচের দিকে ভালভাবে উন্নত এবং জাতীয় নীতিগুলির শক্তিশালী সমর্থনের কারণে।এই সময়ের মধ্যে, চীন ফটোভোলটাইক বিদ্যুৎ উৎপাদনে একটি বিশাল ভূমিকা পালন করেছে, এবং ক্রমবর্ধমান ইনস্টলেশন ক্ষমতা 6.5% এর কম।লাফিয়ে 36.14% এ পৌঁছেছে।

উপরের বিশ্লেষণের উপর ভিত্তি করে, CPIA সারা বিশ্বে 2022 থেকে 2030 সাল পর্যন্ত নতুন ফোটোভোলটাইক ইনস্টলেশনের জন্য পূর্বাভাস দিয়েছে।এটি অনুমান করা হয় যে আশাবাদী এবং রক্ষণশীল উভয় অবস্থার অধীনে, 2030 সালে বিশ্বব্যাপী নতুন ইনস্টল করা ক্ষমতা যথাক্রমে 366 এবং 315GW হবে এবং চীনের নতুন ইনস্টল করা ক্ষমতা হবে 128. , 105GW।নীচে আমরা প্রতি বছর নতুন ইনস্টল করা ক্ষমতার স্কেলের উপর ভিত্তি করে পলিসিলিকনের চাহিদার পূর্বাভাস দেব।

1.6।ফোটোভোলটাইক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পলিসিলিকনের চাহিদা পূর্বাভাস

2022 থেকে 2030 সাল পর্যন্ত, আশাবাদী এবং রক্ষণশীল উভয় পরিস্থিতিতে বিশ্বব্যাপী নতুন বর্ধিত PV ইনস্টলেশনের জন্য CPIA-এর পূর্বাভাসের উপর ভিত্তি করে, PV অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য পলিসিলিকনের চাহিদা ভবিষ্যদ্বাণী করা যেতে পারে।ফটোইলেকট্রিক রূপান্তর উপলব্ধি করার জন্য সেলগুলি একটি মূল পদক্ষেপ, এবং সিলিকন ওয়েফারগুলি হল কোষের মৌলিক কাঁচামাল এবং পলিসিলিকনের সরাসরি নিম্নধারা, তাই এটি পলিসিলিকনের চাহিদা পূর্বাভাসের একটি গুরুত্বপূর্ণ অংশ।প্রতি কিলোগ্রাম সিলিকন রড এবং ইনগটের টুকরাগুলির ওজনযুক্ত সংখ্যা প্রতি কিলোগ্রামে টুকরা সংখ্যা এবং সিলিকন রড এবং ইঙ্গটের বাজারের অংশ থেকে গণনা করা যেতে পারে।তারপরে, বিভিন্ন আকারের সিলিকন ওয়েফারগুলির শক্তি এবং বাজারের শেয়ার অনুসারে, সিলিকন ওয়েফারগুলির ওজনযুক্ত শক্তি প্রাপ্ত করা যেতে পারে এবং তারপরে নতুন ইনস্টল করা ফটোভোলটাইক ক্ষমতা অনুসারে সিলিকন ওয়েফারগুলির প্রয়োজনীয় সংখ্যক অনুমান করা যেতে পারে।এরপরে, সিলিকন ওয়েফারের সংখ্যা এবং প্রতি কিলোগ্রামে সিলিকন রড এবং সিলিকন ইঙ্গটের ওজনযুক্ত সংখ্যার মধ্যে পরিমাণগত সম্পর্ক অনুসারে প্রয়োজনীয় সিলিকন রড এবং ইঙ্গটের ওজন পাওয়া যেতে পারে।সিলিকন রড/সিলিকন ইঙ্গটগুলির ওজনযুক্ত সিলিকন ব্যবহারের সাথে আরও মিলিত, নতুন ইনস্টল করা ফটোভোলটাইক ক্ষমতার জন্য পলিসিলিকনের চাহিদা অবশেষে পাওয়া যেতে পারে।পূর্বাভাসের ফলাফল অনুসারে, বিগত পাঁচ বছরে নতুন ফোটোভোলটাইক ইনস্টলেশনের জন্য পলিসিলিকনের বিশ্বব্যাপী চাহিদা বাড়তে থাকবে, 2027 সালে শীর্ষে উঠবে এবং পরবর্তী তিন বছরে কিছুটা হ্রাস পাবে।এটি অনুমান করা হয় যে 2025 সালে আশাবাদী এবং রক্ষণশীল অবস্থার অধীনে, ফটোভোলটাইক ইনস্টলেশনের জন্য পলিসিলিকনের বিশ্বব্যাপী বার্ষিক চাহিদা যথাক্রমে 1,108,900 টন এবং 907,800 টন হবে এবং 2030 সালে ফটোভোলটাইক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য পলিসিলিকনের বৈশ্বিক চাহিদা হবে 1,04 থেকে 1,04 টন অপারেটিভ অবস্থার অধীনে। .896,900 টন।চীনের মতেবিশ্বব্যাপী ফোটোভোলটাইক ইনস্টল ক্ষমতা অনুপাত,2025 সালে ফটোভোলটাইক ব্যবহারের জন্য পলিসিলিকনের জন্য চীনের চাহিদাআশাবাদী এবং রক্ষণশীল অবস্থার অধীনে যথাক্রমে 369,600 টন এবং 302,600 টন এবং বিদেশে যথাক্রমে 739,300 টন এবং 605,200 টন হবে বলে আশা করা হচ্ছে।

2, সেমিকন্ডাক্টর শেষ চাহিদা: স্কেল ফটোভোলটাইক ক্ষেত্রের চাহিদার তুলনায় অনেক ছোট, এবং ভবিষ্যতে বৃদ্ধি আশা করা যেতে পারে

ফটোভোলটাইক কোষ তৈরির পাশাপাশি, পলিসিলিকন চিপ তৈরির জন্য কাঁচামাল হিসাবেও ব্যবহার করা যেতে পারে এবং অর্ধপরিবাহী ক্ষেত্রে ব্যবহার করা হয়, যা অটোমোবাইল উত্পাদন, শিল্প ইলেকট্রনিক্স, ইলেকট্রনিক যোগাযোগ, হোম অ্যাপ্লায়েন্স এবং অন্যান্য ক্ষেত্রগুলিতে উপবিভক্ত করা যেতে পারে।পলিসিলিকন থেকে চিপ পর্যন্ত প্রক্রিয়াটি মূলত তিনটি ধাপে বিভক্ত।প্রথমে, পলিসিলিকনকে একরঙা সিলিকন ইঙ্গটে আঁকা হয় এবং তারপরে পাতলা সিলিকন ওয়েফারে কাটা হয়।সিলিকন ওয়েফারগুলি গ্রাইন্ডিং, চেমফারিং এবং পলিশিং অপারেশনগুলির একটি সিরিজের মাধ্যমে উত্পাদিত হয়।, যা সেমিকন্ডাক্টর কারখানার মৌলিক কাঁচামাল।অবশেষে, সিলিকন ওয়েফারটি কাটা হয় এবং নির্দিষ্ট বৈশিষ্ট্য সহ চিপ পণ্যগুলি তৈরি করতে বিভিন্ন সার্কিট কাঠামোতে লেজার খোদাই করা হয়।সাধারণ সিলিকন ওয়েফারগুলির মধ্যে প্রধানত পালিশ ওয়েফার, এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার এবং SOI ওয়েফার অন্তর্ভুক্ত থাকে।পালিশ ওয়েফার হল একটি চিপ উৎপাদনের উপাদান যা উচ্চ সমতলতা সহ সিলিকন ওয়েফারকে পলিশ করে পৃষ্ঠের ক্ষতিগ্রস্ত স্তর অপসারণ করে, যা সরাসরি চিপস, এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার এবং SOI সিলিকন ওয়েফার তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারগুলি পালিশ করা ওয়েফারের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির দ্বারা প্রাপ্ত হয়, যখন SOI সিলিকন ওয়েফারগুলি পালিশ করা ওয়েফার সাবস্ট্রেটে বন্ধন বা আয়ন ইমপ্লান্টেশন দ্বারা তৈরি করা হয় এবং প্রস্তুতি প্রক্রিয়া তুলনামূলকভাবে কঠিন।

2021 সালে সেমিকন্ডাক্টর সাইডে পলিসিলিকনের চাহিদার মাধ্যমে, আগামী কয়েক বছরে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের বৃদ্ধির হারের এজেন্সির পূর্বাভাসের সাথে, 2022 থেকে 2025 সাল পর্যন্ত সেমিকন্ডাক্টর ক্ষেত্রে পলিসিলিকনের চাহিদা মোটামুটি অনুমান করা যেতে পারে।2021 সালে, বিশ্বব্যাপী ইলেকট্রনিক-গ্রেড পলিসিলিকন উত্পাদন মোট পলিসিলিকন উত্পাদনের প্রায় 6% হবে এবং সৌর-গ্রেড পলিসিলিকন এবং দানাদার সিলিকন প্রায় 94% হবে।বেশিরভাগ ইলেকট্রনিক-গ্রেড পলিসিলিকন সেমিকন্ডাক্টর ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়, এবং অন্যান্য পলিসিলিকন মূলত ফটোভোলটাইক শিল্পে ব্যবহৃত হয়।.অতএব, এটি অনুমান করা যেতে পারে যে 2021 সালে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ব্যবহৃত পলিসিলিকনের পরিমাণ প্রায় 37,000 টন।উপরন্তু, FortuneBusiness Insights দ্বারা পূর্বাভাসিত সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের ভবিষ্যত যৌগিক বৃদ্ধির হার অনুসারে, অর্ধপরিবাহী ব্যবহারের জন্য পলিসিলিকনের চাহিদা 2022 থেকে 2025 সাল পর্যন্ত বার্ষিক 8.6% হারে বৃদ্ধি পাবে। অনুমান করা হয় যে 2025 সালে, চাহিদা অর্ধপরিবাহী ক্ষেত্রে পলিসিলিকন প্রায় 51,500 টন হবে।(প্রতিবেদন সূত্র: ফিউচার থিঙ্ক ট্যাঙ্ক)

3, পলিসিলিকন আমদানি এবং রপ্তানি: আমদানি রপ্তানির চেয়ে অনেক বেশি, জার্মানি এবং মালয়েশিয়া একটি উচ্চ অনুপাতের জন্য দায়ী

2021 সালে, চীনের পলিসিলিকন চাহিদার প্রায় 18.63% আমদানি থেকে আসবে এবং আমদানির স্কেল রপ্তানির স্কেলকে ছাড়িয়ে যাবে।2017 থেকে 2021 সাল পর্যন্ত, পলিসিলিকনের আমদানি ও রপ্তানি প্যাটার্ন আমদানির দ্বারা প্রাধান্য পেয়েছে, যা সাম্প্রতিক বছরগুলিতে দ্রুত বিকশিত ফটোভোলটাইক শিল্পের শক্তিশালী নিম্নধারার চাহিদার কারণে হতে পারে এবং পলিসিলিকনের জন্য এর চাহিদা 94% এরও বেশি। মোট চাহিদা;উপরন্তু, কোম্পানি এখনও উচ্চ-বিশুদ্ধতা ইলেকট্রনিক-গ্রেড পলিসিলিকনের উৎপাদন প্রযুক্তি আয়ত্ত করতে পারেনি, তাই ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট শিল্পের জন্য প্রয়োজনীয় কিছু পলিসিলিকন এখনও আমদানির উপর নির্ভর করতে হবে।সিলিকন শিল্প শাখার তথ্য অনুসারে, আমদানির পরিমাণ 2019 এবং 2020 সালে হ্রাস অব্যাহত ছিল। 2019 সালে পলিসিলিকন আমদানি হ্রাসের মূল কারণ ছিল উত্পাদন ক্ষমতার উল্লেখযোগ্য বৃদ্ধি, যা 2018 সালে 388,000 টন থেকে বেড়ে 45020-এ দাঁড়িয়েছে। 2019 সালে। একই সময়ে, OCI, REC, HANWHA কিছু বিদেশী কোম্পানি, যেমন কিছু বিদেশী কোম্পানি, লোকসানের কারণে পলিসিলিকন শিল্প থেকে প্রত্যাহার করেছে, তাই পলিসিলিকনের আমদানি নির্ভরতা অনেক কম;যদিও 2020 সালে উৎপাদন ক্ষমতা বাড়েনি, মহামারীর প্রভাবে ফটোভোলটাইক প্রকল্প নির্মাণে বিলম্ব হয়েছে এবং একই সময়ে পলিসিলিকন অর্ডারের সংখ্যা হ্রাস পেয়েছে।2021 সালে, চীনের ফটোভোলটাইক বাজার দ্রুত বিকশিত হবে এবং পলিসিলিকনের আপাত ব্যবহার 613,000 টনে পৌঁছাবে, যা আমদানির পরিমাণকে রিবাউন্ডে নিয়ে যাবে।গত পাঁচ বছরে, চীনের নেট পলিসিলিকন আমদানির পরিমাণ 90,000 থেকে 140,000 টন, যার মধ্যে 2021 সালে প্রায় 103,800 টন। আশা করা হচ্ছে যে 2025 থেকে 2025 পর্যন্ত চীনের নেট পলিসিলিকন আমদানির পরিমাণ প্রতি বছর প্রায় 100,000 টন থাকবে।

চীনের পলিসিলিকন আমদানি মূলত জার্মানি, মালয়েশিয়া, জাপান এবং তাইওয়ান, চীন থেকে আসে এবং 2021 সালে এই চারটি দেশ থেকে মোট আমদানির পরিমাণ 90.51% হবে। চীনের পলিসিলিকন আমদানির প্রায় 45% আসে জার্মানি থেকে, 26% মালয়েশিয়া থেকে, 13.5% জাপান থেকে, এবং 6% তাইওয়ান থেকে।জার্মানি বিশ্বের পলিসিলিকন জায়ান্ট WACKER-এর মালিক, যা বিদেশী পলিসিলিকনের বৃহত্তম উত্স, যা 2021 সালে বিশ্বব্যাপী মোট উৎপাদন ক্ষমতার 12.7%;মালয়েশিয়ায় দক্ষিণ কোরিয়ার ওসিআই কোম্পানির বিপুল সংখ্যক পলিসিলিকন উত্পাদন লাইন রয়েছে, যা OCI দ্বারা অধিগ্রহণ করা জাপানি কোম্পানি টোকুয়ামা-র মালয়েশিয়ার মূল উত্পাদন লাইন থেকে উদ্ভূত হয়েছে।ওসিআই দক্ষিণ কোরিয়া থেকে মালয়েশিয়ায় স্থানান্তরিত কারখানা এবং কিছু কারখানা রয়েছে।স্থানান্তরের কারণ হল যে মালয়েশিয়া বিনামূল্যে কারখানার জায়গা প্রদান করে এবং বিদ্যুতের খরচ দক্ষিণ কোরিয়ার তুলনায় এক-তৃতীয়াংশ কম;জাপান এবং তাইওয়ান, চীনের টোকুয়ামা , জিইটি এবং অন্যান্য কোম্পানি রয়েছে, যা পলিসিলিকন উৎপাদনের একটি বড় অংশ দখল করে।একটি স্থান.2021 সালে, পলিসিলিকন আউটপুট হবে 492,000 টন, যা নতুন ইনস্টল করা ফটোভোলটাইক ক্ষমতা এবং চিপ উৎপাদনের চাহিদা হবে যথাক্রমে 206,400 টন এবং 1,500 টন, এবং অবশিষ্ট 284,100 টন প্রধানত ডাউনস্ট্রিম প্রক্রিয়াকরণ এবং বিদেশে রপ্তানি করার জন্য ব্যবহৃত হবে।পলিসিলিকনের ডাউনস্ট্রিম লিঙ্কগুলিতে, সিলিকন ওয়েফার, কোষ এবং মডিউলগুলি প্রধানত রপ্তানি করা হয়, যার মধ্যে মডিউলগুলির রপ্তানি বিশেষভাবে বিশিষ্ট।2021 সালে, 4.64 বিলিয়ন সিলিকন ওয়েফার এবং 3.2 বিলিয়ন ফটোভোলটাইক কোষ ছিলরপ্তানিচীন থেকে, মোট রপ্তানি যথাক্রমে 22.6GW এবং 10.3GW, এবং ফটোভোলটাইক মডিউলগুলির রপ্তানি 98.5GW, খুব কম আমদানি সহ।রপ্তানি মূল্য সংমিশ্রণের পরিপ্রেক্ষিতে, 2021 সালে মডিউল রপ্তানি US$24.61 বিলিয়ন এ পৌঁছাবে, যা 86% হবে, তারপরে সিলিকন ওয়েফার এবং ব্যাটারি।2021 সালে, সিলিকন ওয়েফার, ফটোভোলটাইক কোষ এবং ফটোভোলটাইক মডিউলগুলির বিশ্বব্যাপী আউটপুট যথাক্রমে 97.3%, 85.1% এবং 82.3% এ পৌঁছাবে।এটা আশা করা হচ্ছে যে বিশ্বব্যাপী ফোটোভোলটাইক শিল্প আগামী তিন বছরের মধ্যে চীনে মনোনিবেশ করতে থাকবে এবং প্রতিটি লিঙ্কের আউটপুট এবং রপ্তানি পরিমাণ যথেষ্ট হবে।অতএব, এটি অনুমান করা হয় যে 2022 থেকে 2025 পর্যন্ত, প্রসেসিং এবং ডাউনস্ট্রিম পণ্য উত্পাদন এবং বিদেশে রপ্তানি করার জন্য ব্যবহৃত পলিসিলিকনের পরিমাণ ধীরে ধীরে বৃদ্ধি পাবে।এটি বিদেশী পলিসিলিকন চাহিদা থেকে বিদেশী উত্পাদন বিয়োগ করে অনুমান করা হয়।2025 সালে, ডাউনস্ট্রিম পণ্যগুলিতে প্রক্রিয়াকরণের মাধ্যমে উত্পাদিত পলিসিলিকন চীন থেকে 583,000 টন বিদেশে রপ্তানি করবে বলে অনুমান করা হবে

4, সারাংশ এবং আউটলুক

বিশ্বব্যাপী পলিসিলিকনের চাহিদা প্রধানত ফোটোভোলটাইক ক্ষেত্রে কেন্দ্রীভূত হয় এবং সেমিকন্ডাক্টর ক্ষেত্রের চাহিদা মাত্রার ক্রম নয়।পলিসিলিকনের চাহিদা ফোটোভোলটাইক ইনস্টলেশন দ্বারা চালিত হয় এবং ফোটোভোলটাইক মডিউল-সেল-ওয়েফারের লিঙ্কের মাধ্যমে ধীরে ধীরে পলিসিলিকনে প্রেরণ করা হয়, এর জন্য চাহিদা তৈরি করে।ভবিষ্যতে, বিশ্বব্যাপী ফোটোভোলটাইক ইনস্টল ক্ষমতা সম্প্রসারণের সাথে, পলিসিলিকনের চাহিদা সাধারণত আশাবাদী।আশাবাদী, চীন এবং বিদেশী নতুন বর্ধিত PV ইনস্টলেশনের ফলে 2025 সালে পলিসিলিকনের চাহিদা যথাক্রমে 36.96GW এবং 73.93GW হবে, এবং রক্ষণশীল অবস্থার অধীনে চাহিদাও যথাক্রমে 30.24GW এবং 60.49GW-এ পৌঁছাবে।2021 সালে, বিশ্বব্যাপী পলিসিলিকনের সরবরাহ এবং চাহিদা কঠোর হবে, যার ফলে বিশ্বব্যাপী পলিসিলিকনের দাম উচ্চ হবে।এই পরিস্থিতি 2022 সাল পর্যন্ত চলতে পারে এবং 2023 সালের পর ধীরে ধীরে ঢিলেঢালা সরবরাহের পর্যায়ে যেতে পারে। 2020 সালের দ্বিতীয়ার্ধে, মহামারীর প্রভাব দুর্বল হতে শুরু করে, এবং নিম্নধারার উৎপাদন সম্প্রসারণ পলিসিলিকনের চাহিদাকে চালিত করে, এবং কিছু নেতৃস্থানীয় কোম্পানি পরিকল্পনা করেছিল উৎপাদন প্রসারিত করতে।যাইহোক, দেড় বছরেরও বেশি সময়ের সম্প্রসারণ চক্রের ফলে 2021 এবং 2022 সালের শেষে উত্পাদন ক্ষমতা মুক্তি পায়, যার ফলে 2021 সালে 4.24% বৃদ্ধি পায়। সরবরাহের ব্যবধান 10,000 টন, তাই দাম বেড়েছে তীক্ষ্ণভাবেএটি ভবিষ্যদ্বাণী করা হয়েছে যে 2022 সালে, ফটোভোলটাইক ইনস্টল ক্ষমতার আশাবাদী এবং রক্ষণশীল অবস্থার অধীনে, সরবরাহ এবং চাহিদার ব্যবধান যথাক্রমে -156,500 টন এবং 2,400 টন হবে এবং সামগ্রিক সরবরাহ এখনও তুলনামূলকভাবে স্বল্প সরবরাহের অবস্থায় থাকবে।2023 এবং তার পরে, 2021 সালের শেষের দিকে এবং 2022 সালের প্রথম দিকে নির্মাণ শুরু করা নতুন প্রকল্পগুলি উত্পাদন শুরু করবে এবং উত্পাদন ক্ষমতা বৃদ্ধি পাবে।সরবরাহ এবং চাহিদা ধীরে ধীরে শিথিল হবে এবং দাম নিম্নমুখী চাপের মধ্যে থাকতে পারে।ফলো-আপে, বৈশ্বিক শক্তি প্যাটার্নে রাশিয়ান-ইউক্রেনীয় যুদ্ধের প্রভাবের দিকে মনোযোগ দেওয়া উচিত, যা নতুন ইনস্টল করা ফটোভোলটাইক ক্ষমতার জন্য বৈশ্বিক পরিকল্পনা পরিবর্তন করতে পারে, যা পলিসিলিকনের চাহিদাকে প্রভাবিত করবে।

(এই নিবন্ধটি শুধুমাত্র আরবানমাইনসের গ্রাহকদের রেফারেন্সের জন্য এবং কোন বিনিয়োগ পরামর্শ প্রতিনিধিত্ব করে না）